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Si1305DL
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
I D (A)
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET: 1.8 V
? Material categorization:
-8
0.280 at V GS = - 4.5 V
0.380 at V GS = - 2.5 V
0.530 at V GS = - 1.8 V
- 0.92
- 0.79
- 0.67
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
G
1
Marking Code
3
D
LB
X
Lot Tracea b ility
S
2
and Date Code
Part # Code
Top V ie w
Ordering Information: Si1305DL-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
-8
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 0.92
- 0.74
-3
- 0.86
- 0.69
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a
I S
- 0,28
- 0.24
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
0.34
0.22
- 55 to 150
0.29
0.19
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ? 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
315
360
285
375
430
340
°C/W
Note:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71076
S13-0631-Rev. G, 25-Mar-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
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